我国IGBT市场规模情况及产量统计分析

    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    构成本土 IGBT 市场需求主体主要为智能电网、高铁建设、电机节能与家电节能这四大领域。中国在智能电网与高铁建设领域拥有国际领先技术，这些领域对 IGBT国产化需求迫切，而这种国产化突破更包含了 IGBT 技术的突破（该领域 IGBT 技术壁垒最高）。家电节能以空调、冰箱与洗衣机为主，这些领域中国家电企业已经具备一定的国际竞争力，更为 IGBT 国产化扫清了认知障碍。因此，庞大的市场基础与需求方对 IGBT 技术国产化的迫切需求共同推动中国本土企业的技术创新，加速我国 IGBT 国产化进程：

    博思数据发布的《2017-2022年中国IGBT功率模块市场深度调研与投资前景研究报告》，我国IGBT行业发展至今，已取得较大进展，虽然仍需大量进口，但已有一部分企业具备规模化生产能力。2010年我国IGBT功率电器模块产量为190万只，2015年增长至498万只。

2010-2015年我国IGBT功率电器产量（万只）

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    我国IGBT技术取得一定突破，应用需求巨大。IGBT芯片技术方面，中国南车建成全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线，具备年产12万片芯片、并配套形成年产100万只IGBT模块的自动化封装测试能力，芯片与模块电压范围实现从650V到6500V的全覆盖。去年成功实现首批8英寸1700V IGBT芯片下线，8英寸3300V芯片已完成试制与测试，6500V芯片也已研发出合格样品。IGBT模块技术方面，封装IGBT模块所用芯片大多由英飞凌、ABB等国外公司提供，只有极少量的芯片由国内生产，国产IGBT芯片年产值不到1亿元。但我国却是全球最大的功率半导体消费市场，占全球市场的40%以上，未来一段时期仍将保持15%以上的速度增长，市场潜力巨大。其中，我国IGBT消费市场目前约80亿元的规模（全球市场约300亿元），到2020年可能达到300亿元的规模。

    在新能源、节能环保“十二五”规划等一系列国家政策措施的支持下，国内IGBT的发展获得巨大的推动力，市场持续快速增长。2015年，国内IGBT市场规模达94.8亿元。近几年我国IGBT市场规模情况如下图所示：

2008-2015年我国IGBT市场规模情况
 

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    IGBT一方面拥有新技术带来的广阔的市场空间，另一方面从技术发展路线来看又对以往的功率器件有一个逐步替代的作用。目前我国IGBT市场占整个功率器件市场份额尚不足10%，预计未来几年IGBT市场随着节能减排的推进将得到快速发展。未来IGBT模块在以下几个领域将会有较大的突破。